2英寸高质量GaN单晶衬底制备及产业化

山东晶镓实现了低位错密度、低应力集中2英寸GaN单晶衬底批量生产，标志着我国在GaN单晶生长技术、多孔衬底制备技术、单晶衬底加工技术方面实现突破，打破国际市场对我国高端半导体材料行业垄断封锁，为我国第三代半导体产业发展提供核心关键材料支撑。